HCT7000M详细
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
HCT7000M参数
包装:散装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:200mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V,功率 - 最大值:300mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:3.18mm x 2.67mm x 1.37mm,供应商器件封装:-
